接下来是掺杂，他的笔继续在纸上滑动，n型半导体需要磷、砷或锑作为掺杂剂，p型则需要硼或铝。掺杂浓度的控制是关键，太高或太低都会影响性能。
林舟画出了一个扩散炉的设计图，标注了温度控制点、气流系统和样品架的位置。这种设备用于在高温下将掺杂剂扩散到硅片中，是制造半导体器件的核心设备之一。
光刻技术是另一个关键，他又画出一套光刻设备的简图，需要高精度的掩模版、感光胶和准直光源。在现有条件下，可以先从低精度开始，逐步提高。
林舟现在掌握的光刻技术比那个年代先进得多。他知道如何制作精度达到微米级的电路图案，而当时主流水平还停留在几十微米。
蚀刻、氧化、金属化他一一列出集成电路制造的各个步骤，为每一步都设计了简化版的设备和工艺流程，使之能在有限条件下实现。
最后是封装测试，林舟画出了一个简易的封装线和测试台，这部分相对简单，但同样重要。一个设计良好的电路，如果封装不当或测试不严，也会前功尽弃。
写完这些，林舟开始思考配套设备的问题。要制造半导体器件，需要一系列专用设备，如扩散炉、光刻机、蚀刻槽、键合机等，这些在当时都是高度专业化的设备，不是随便一个工厂就能生产的。
得想办法简化这些设备，林舟沉思着，先从最基础的开始。扩散炉可以用改装的高温电炉，光刻可以用简化的投影系统，蚀刻槽直接用玻璃容器就行
他详细列出了每种设备的简化方案和替代品，确保在现有技术条件下能够实现。这些设备虽然简陋，精度和效率都比不上专业设备，但足以开始初步的半导体研发。
有了这些，就能制造出基础的二极管、三极管，甚至是简单的集成电路了，林舟激动地想，足够用来做闭路监控系统，甚至可以尝试制造简单的计算机！
林舟记得这时候国际上集成电路刚刚起步，每个芯片上的晶体管数量还很少，但已经开始改变电子工业的面貌。而他现在掌握的知识，理论上可以制造出比当时先进得多的集成电路。
不过，要把这些知识转化为实际产品，还需要大量的实验和调试，林舟冷静下来，而且需要一个隐蔽的实验