说上一句：「李道鸣是科大的优秀毕业生！」
大屏幕上的画面随之切换，出现了一张趋势图。
DRAM制程节点演进曲线，在10nm处几乎停滞，像一张遭遇心脏骤停的心电图。
「我刚加入天工科技的时候，老板问了我一个问题。」
李道鸣转身看向坐在第一排的陈延森。
后者微微点头，示意他继续。
「他说，道鸣，你觉得存储晶片还能继续进步吗？」
「我当时的回答是，不能。」
台下传来一阵窃窃私语。
「不是我悲观，而是物理学不允许。」
李道鸣说著，按下遥控器。
屏幕上出现了一个DRAM存储单元的剖面图。
「各位请看，这是传统DRAM的1T1C结构，一个电晶体加一个电容。」
「电容用来存储电荷，电晶体则用来控制读写。」
「看起来很简单，对吧？」
「但当制程推进到10nm以下，电容的物理尺寸已经小到无法存储足够的电荷。」
「这就像你用一个针眼大小的水桶去装水，水还没装满，就已经从边缘漏光了。」
「为了解决这个问题，山星、SK海力士和美光等内存大厂，将电容做成深沟槽结构。」
「可是沟槽越深，刻蚀就越难，良率也越低！」
他的语速平稳，却字字扎心。
这些都是行业痛点！
DRAM电容缩放逼近物理极限，3DNAND深宽比刻蚀良率告急。
所有人都陷入了EUV资本支出陷阱与多重曝光的成本墙中。
天工科技虽说拥有一定成本优势，但那也是因为星源科技提供了内部采购价。
他们能够以全球最低价买入破晓A3XEUV光刻机，以及6N级氖气，但想大幅降低成本，也不是一件容易的事情。
「3DNAND也一样。」
「从64层堆到128层，深宽比已经超过了60：1。
「这是什么概念？」
「相当于你要在一根头发丝粗细的管道里，钻出60倍深度的孔，还要保证孔壁光滑、
垂直、不塌陷。」
「晶圆边缘的良率，已经低到不能看。」
李道鸣继续说道。
他顿了顿，轻笑一声：「这就是2018年存储行业的真相。」
「不是不想进步，而是物理学按住了我们的脖子。」
「所以，老板又问了我第二个问题。」
李道鸣话锋一转，眼神也亮了起来。
「如果不存储电荷，我们还能存储什么？」
「答案是，存储原