会议室里的热度仿佛随着讨论的深入而不断攀升，阳光从窗户洒进来，空气中的尘埃都像是在欢快地跳动。
教授们和孙连城围坐在一起，眼神中燃烧着对知识和突破的渴望，继续深入探讨2n碳基芯片这一前沿科技。
邓子明教授率先发言，他推了推眼镜，目光如炬：“孙所长，刚刚你提到的电子迁移速度优势确实令人振奋，但这其中涉及到的材料生长问题可不容小觑。我们都知道，要实现2n这样的高精度制程，对碳基材料的纯度和晶格结构要求极高，你们在材料生长的工艺控制上有什么独特的方法吗？”
孙连城微微点头，他知道这是关键问题所在：“邓教授，这正是我们一直在攻克的难题之一。我们目前采用了一种新型的化学气相沉积技术，通过精确控制反应气体的流量、温度和压力，来实现碳基材料的原子级精准生长。不过，这个过程就像是在走钢丝，稍有偏差就会影响材料质量。”
王天来教授紧接着说：“那在光刻工艺方面呢？现有的光刻技术在面对2n这种级别的精度时，误差是个大问题。你们有没有考虑过一些新的光刻原理或者辅助技术来提高精度？”
他的声音沉稳有力，每一个字都砸在重点上。
孙连城皱了皱眉，陷入思考：“我们正在探索一些基于量子光刻的可能性。利用量子隧穿效应，理论上可以突破传统光刻的精度极限。但目前这还只是理论设想，要实现工业化应用还有很长的路要走。而且这种技术需要全新的设备和极稳定的环境，成本和技术难度都非常高。”
吕守信教授摸着下巴，缓缓说道：“除了这些，芯片的封装技术也至关重要。对于2n碳基芯片这样高性能的芯片，如何保证其在封装后能稳定运行，并且有效地散热和避免电磁干扰，这是需要提前考虑的。”
孙连城回应道：“我们设计了一种多层复合封装结构，每层材料都有其特定的功能，比如有的负责散热，有的负责屏蔽电磁干扰。同时，在封装过程中，我们引入了微纳加工技术，确保芯片与封装材料的完美结合。”
此时，一位年轻的教授兴奋地插话道：“孙所长，我们是否可以考虑从芯片架构层面进行创新？比如采用一些新的拓扑结构或者三维集成技术，来